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本发明提供了一种具有光电导效应的钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料，是将掺杂原子数含量为0～5％钯的石墨复合靶溅射到厚度为0.5～1.0毫米的带有氧化物的半导体衬底上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料...
该专利属于中国石油大学(华东)所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学(华东)授权不得商用。

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