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提供半导体器件的制造方法，它能够精确控制布线沟槽图案的深度，并且能够抑制对布线沟槽图案的损坏。在扩散阻止膜之上依次叠置第二低介电常数膜、第三低介电常数膜和用作掩膜层的膜。蚀刻用作掩膜层的膜，并且形成其底部由第三低介电常数膜的表面制成的布线沟...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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