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本发明公开了包括可变电阻材料的半导体器件、操作该半导体器件的方法、包括可变电阻材料的能够转换的存储器件、包括该半导体器件的存储卡和包括该半导体器件的电子系统。半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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