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本发明提出一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底、位于所述衬底之上的栅介质层、在所述衬底和所述栅介质层之间形成的界面层、位于所述栅介质层之上的金属栅电极层；和至少一层注入离子调节层，用于调节所述半导体结构的功函数，且所述注入...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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