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提供一种半导体器件，其能够防止电容器的大面积化而引起TDDB下降。在半导体衬底上形成有电容器。电容器具有以下部电极、电容器电介质膜以及上部电极的顺序层叠这些的结构。当设下部电极和上部电极经由电介质膜而相对的电容区域的面积为S，电容区域的外周...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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