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本发明提供衬底处理方法，促进元件分离槽内的聚硅氮烷的氧化膜（ＳｉＯ２）化，能够提高绝缘膜的膜质（电特性以及介电常数）。通过以下工序进行衬底处理：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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