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本发明涉及提出了一种半导体器件的制备方法。器件的制备方法包括：在半导体层中制备；用绝缘材料填充沟槽；除去所选的部分绝缘材料，留下在沟槽底部的一部分绝缘材料；在剩余部分沟槽的一个或多个侧壁上，制备一个或多个隔片；使用一个或多个隔片作为掩膜，各...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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