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本发明提出一种具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，所述沟道区为第一半导体材料；形成在所述衬底中且与所述沟道区的一端相邻的金属源区；形成在所述金属源区与所述沟道区之间的隧穿介质层，其中，所述金属源...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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