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本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及微电子器件领域，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，谐振器电极近似椭圆形；所述带空腔SOI基片中的衬底硅片表面设置沟槽，键合...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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