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本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法,涉及微电子器件领域,滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,SOI基片的衬底硅上表面设置沟槽,带沟槽的衬底...该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法,涉及微电子器件领域,滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成,谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极,SOI基片的衬底硅上表面设置沟槽,带沟槽的衬底...