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本发明提供了一种结合杂质分凝肖特基和带带隧穿的复合源MOS晶体管及其制备方法，该复合源MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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