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本实用新型涉及一种微波真空金属镀膜装置，具体地讲它是一种主要适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以及金属化合物膜的装置，它属于金属淀积技术领域。本实用新型是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成...
该专利属于张敬祎;高秀敏所有，仅供学习研究参考，未经过张敬祎;高秀敏授权不得商用。

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