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本发明涉及背接触式太阳能电池及其产生方法，其中细长发射极区域（５）和细长基极区域（７）在太阳能电池背面的表面上以精细交叉方式限定在半导体衬底（１）中。细长发射极区域（５）和与其成直角延伸的细长发射极电极（１１）接触，并且细长基极区域（７）和...
该专利属于太阳能研究所股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳能研究所股份有限公司授权不得商用。

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