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本发明涉及一种用于提纯半导体材料（４４）的设备（１０），其至少包括包含至少一种惰性气体的大气的室。该设备包括：在室中，熔炉（３０），该熔炉预要包含熔融状态的半导体材料；等离子体焰炬（４０），该等离子体焰炬预要从熔炉中熔化的半导体材料移除杂质...该专利属于易孚迪感应设备有限公司;原子能与替代能源委员会;国立科学研究中心;菲赫贝姆简化股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过易孚迪感应设备有限公司;原子能与替代能源委员会;国立科学研究中心;菲赫贝姆简化股份公司授权不得商用。