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本发明涉及一种适合于在功率集成电路中操作的集成低泄漏二极管，其具有类似于横向功率ＭＯＳＦＥＴ的结构，但其中电流在与常规功率ＭＯＳＦＥＴ相反的方向上流动穿过所述二极管。阳极连接到栅极及可比ＭＯＳＦＥＴ源极区，所述阳极具有连接到通道区的两种导电...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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