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一种集成电路装置，包括：具有多个形成在其上的器件的半导体基板；对所述多个器件进行互连的一个或多个金属化层；以及键合焊盘，其形成在所述一个或多个金属化层之上且电耦合到所述金属化层中的至少一个。第一钝化层形成在所述键合焊盘之上和所述金属化层之上...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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