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一种制造具有多个材料的ＦＥＴ栅极的方法，包括沉积虚设区域（８），其后通过保形沉积每个金属层构成的一个层且其后进行各向异性的回蚀以留下虚设区域的侧面（１０）上的金属层从而在栅极电介质（６）上形成多个金属层（１６，１８，２０）。其后，去除虚设区...
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