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本发明提供一种受应力的场效晶体管（４０）以及其制造方法。该场效晶体管（４０）包括硅衬底（４４），在该硅衬底上覆有栅极绝缘体（５４）。栅电极（６２）覆于该栅极绝缘体上，并且确定信道区域（６８）于该栅电极之下方的该硅衬底中。具有第一厚度的第一硅...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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