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本发明包括半导体薄膜（１），半导体薄膜层叠在栅电极（１３）上，在半导体薄膜和栅电极之间具有栅绝缘膜（１５）。半导体薄膜（１）具有叠层结构，并且包括至少两个半导体层（ａ、ａ′）。在半导体薄膜（１）中，例如，由与两个半导体层（ａ、ａ′）不同的材...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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