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本发明涉及用于在体半导体衬底上制造平面独立双栅ＦＥＴ或平面环栅ＦＥＴ的方法。本发明包括采用掩埋牺牲层重新填充有源半导体区中的表面凹陷，以及在通过相应的沉积和图案化准备预处理栅叠层之后，在隔离区中形成凹陷，以使凹陷沿着朝向内部衬底的深度方向延...该专利属于ＮＸＰ股份有限公司;ＳＴ微电子（克罗思２）简化有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＸＰ股份有限公司;ＳＴ微电子（克罗思２）简化有限公司授权不得商用。