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用于光刻胶剥除和后金属蚀刻钝化的高室温工艺和室设计制造技术
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下载用于光刻胶剥除和后金属蚀刻钝化的高室温工艺和室设计的技术资料
文档序号:5449928
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一种用于钝化和/或剥除形成在半导体基片上的光刻胶层的真空室。该室包括内部室体,其形成腔体以围绕该基片并且具有贯穿延伸至该腔体的多个气体通道以及一个或多个加热器以加热该内部室体。该内部室体可滑动地安装在外部室体上,其围绕该内部室的侧面,其间具...
该专利属于朗姆研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过朗姆研究公司授权不得商用。
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