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本发明揭示一种用于功率MOSFET的静电放电(ESD)保护网络，其包含含有多 晶硅齐纳二极管及电阻器的并联分支，所述保护网络用于保护栅极免遭由ESD引起的 高电压所引起的爆裂。所述分支可具有供电压跨越栅极区行进到半导体衬底中的同一 或独立路...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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