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本发明公开了一种带气体冷阱的硅单晶生长炉，包括真空工作室和晶体生长室，真空工作室内设置有坩埚、加热器、保温罩以及导流筒，晶体生长室同轴设置在真空工作室的上部并与其相通，在晶体生长室和真空工作室之间设置有气体冷阱，气体冷阱包括法兰盘一、外套筒...
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