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本发明公开了一种选择性形成沟槽的方法。首先，提供基材。基材包含第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有掺杂剂。其次，进行湿蚀刻，以选择性在第二半导体元件周围的基材中形成一组沟槽、选择性对第一半导体元件进行第一源极／漏极离子注入，或...
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