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提供了检测半导体等离子处理装置中的基板电弧的方法。将基板放置在等离子处理装置的反应室内的基板支撑件上。将工艺气体引入该反应室。由该工艺气体产生等离子，且用该等离子处理该基板。监测在等离子处理过程中该反应室中产生的选定气体物种的实时光谱信号强...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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