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本发明提供一种能提高耐压性、简化制造工序的半导体装置。本发明的半导体装置具备：层叠在含有ＳｉＣ的ｎ＋型基板（１１），含有ＳｉＣ的ｎ型外延层（１）；在外延层（１）的表面层相互隔离地配置的ｎ＋型源极区域（５）；被源极区域（５）夹持的ｐ型阱接触区...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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