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本发明公开了一种深紫外光刻胶用于湿法腐蚀的方法，包括如下步骤：第１步，在已涂有深紫外光刻胶的硅片上进行深紫外光光刻；第２步，对硅片上的深紫外光刻胶进行任意杂质的离子注入；第３步，以硅片上的经过离子注入后的深紫外光刻胶作为掩蔽层进行湿法腐蚀；...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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