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本发明的课题是通过简单的工序以低成本提供无应力的ＧａＮ系氮化物半导体自立基板的制作方法。该ＧａＮ系氮化物半导体自立基板的制作方法包括下述工序：准备基板的工序；在该基板上形成ＧａＮ点和ＮＨ↓［４］Ｃｌ层的工序；在ＧａＮ点和ＮＨ↓［４］Ｃｌ层上...
该专利属于国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东北大学授权不得商用。

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