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本公开的光半导体装置(100)具有：形成于共同的半导体基板(1)上的半导体激光器部(70)以及光调制器部(72)，半导体激光器部(70)具备以下各层：分别为由III‑V族半导体混晶构成的第一导电型的下部包层(2)、发射激光束的活性层(3)、...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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