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集成电路熔丝阵列制造技术
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文档序号:4500895
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在本申请中描述的熔丝阵列(40)由于其为交叉点体系结构因此非常紧凑,并且使用很少的半导体面积。所公开的交叉点体系结构减少了必须水平地或垂直地穿过每个位单元(例如,50和60)的导体的数目。结果,显著减少了每个位单元所需的面积。在一个实施例中...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。
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