温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体存储器装置、系统及其制造方法。一种半导体存储器装置包括栅极叠层和多个沟道结构。栅极叠层包括彼此隔开的多个层叠的导电图案。多个沟道结构穿过栅极叠层形成。每一个沟道结构包括第一沟道柱、第二沟道柱和栅极绝缘层。第一沟道柱穿过除...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。