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一种制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成具有多个开口的金属籽晶图案；从衬底和金属籽晶图案形成金属硅化物图案；在衬底和金属硅化物图案之间的界面处沿垂直方向生长单晶半导体图案，其中，垂直方向垂直于衬底；以及在金属硅化物图案和单晶半导体图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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