温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供一种光电探测器及其制造方法。一种光电探测器包括：基底，基底的表面为第一半导体层；第一半导体层包括凹槽，以及位于凹槽沿第一方向两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；部分位于凹槽内的锗吸收层；第一掺杂区、锗吸收层和第二掺杂区构成水平PI...
该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。