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基于硫化TMOs原位制备TMDs/TMOs异质结的方法技术
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下载基于硫化TMOs原位制备TMDs/TMOs异质结的方法的技术资料
文档序号:44965327
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本发明公开了基于硫化TMOs原位制备TMDs/TMOs异质结的方法,属于二维材料技术领域,通过添加硫族单质部分硫化TMOs形成TMDs/TMOs异质结,制备得到的异质结结晶质量高,尺寸较大;改变硫族单质的用量可以精确调控异质结的厚度;制备单...
该专利属于东北师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过东北师范大学授权不得商用。
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