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本发明公开了一种嵌入式多层互连电子封装结构及其制备工艺，包括：提供绝缘基板，在绝缘基板的预定位置形成微型嵌槽，电子组件放置于嵌槽中，在绝缘基板和嵌入的电子组件上采用沉积技术逐层叠加介电层和导电层，构建多层互连网络，其中，通过深反应离子刻蚀技...
该专利属于深圳中科系统集成技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳中科系统集成技术有限公司授权不得商用。

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