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本发明公开一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明由FeNAND存储器和微加热器组成，利用微加热器产生的焦耳热，能够恢复由于写入循环导致的FeNAND器件疲劳，从而有效优化FeNAND的耐久性，同...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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