温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于太阳能发电技术领域，具体涉及一种HBC太阳能电池结构及其制备方法，包括如下步骤：步骤S1，对硅片进行双面抛光；步骤S2，对硅片的背面沉积P型半导体膜层；步骤S3，对硅片的背面的P区进行激光氧化形成图形化氧化硅掩膜；步骤S4，对硅片...
该专利属于常州比太科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州比太科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。