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本发明涉及一种隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法。上述隧穿氧化层的制备方法采用常压氧化生长二氧化硅，先在一定温度、气压的条件下通入氧气进行初步生长，再在维持温度、气压的条件下停止通入氧气，进行闷管工艺，减少管内气体流速不稳定导...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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