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本发明公开了一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法，涉及ITO薄膜材料技术领域，所述制备方法包括以下步骤：S1：于室温条件下通过磁控溅射法在基底表面形成ITO薄膜；S2：将所述ITO膜层进行梯度冷冻处理，后恢复至室温，得到第一ITO薄膜；S3：...
该专利属于安徽点宇新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽点宇新材料科技有限公司授权不得商用。

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