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超高纯锗单晶的制备方法技术
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文档序号:44826035
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一种超高纯锗单晶的制备方法包括步骤:S1,将腐蚀好的12N高纯锗多晶装入坩埚中;S2,抽真空通氮气吹扫,保压;S3,通高纯氢气,维持排气,以维持流动式真空;S4,在流动式真空下,升温至950‑1000℃,化料;S5,将籽晶下降至距离坩埚内的...
该专利属于安徽光智科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽光智科技有限公司授权不得商用。
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