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本公开实施例提供一种以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法，包括：在衬底的沉积面上沉积激光吸收层；对激光吸收层进行图形化处理，形成图形化结构，在图形化结构上沉积氮化镓外延层；采用剥离激光从衬底底面照射激光吸收层，使被照射区域与氮化镓外延层相邻...
该专利属于广东中图半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中图半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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