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一种静电保护结构及其形成方法、静电保护电路，静电保护结构包括：基底；栅极结构，位于基底上；阴极掺杂区，位于栅极结构一侧的基底中，阴极掺杂区具有第一型掺杂离子；阳极掺杂区，位于栅极结构另一侧的基底中，阳极掺杂区具有第二型掺杂离子，第一型掺杂离...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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