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提供了一种背侧接触结构，其将位于晶片背侧的MRAM的第一电极(52)直接连接到晶体管的源极/漏极结构(36)。背侧接触与晶体管的源极/漏极结构(36)以及MRAM的第一电极(52)自对准。MRAM和源极/漏极结构(36)之间的紧密接近增加了...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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