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本申请涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、电极层、源场板和导电块，半导体外延层包括第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层；电极层包括源电极、栅电极和漏电极，源场板设置在第...
该专利属于深圳市时代速信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市时代速信科技有限公司授权不得商用。

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