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本技术涉及半导体技术领域，具体涉及是一种具有后栅工艺的PGaN栅GaN功率器件结构，包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和绝缘介质层，其中还包括PGaN，且PGaN蚀刻在GaN沟道层的外延上；PGaN包括长栅长区域和短栅长区域...
该专利属于成都氮矽科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都氮矽科技有限公司授权不得商用。

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