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本申请涉及一种超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构；超结结构，设于衬底结构内；超结结构包括沿第一方向依次交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区；第二掺杂区包括沿第一方向排列的一个第一子...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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