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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有异质结的Si/SiC MOS器件和制作方法，该器件包括：硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区；硅区，位于硅衬底之上，用于实现器件的高沟道迁移率；碳化硅区，位于硅区之上，用于使器件具有高击穿电压，以及在零栅...
该专利属于深圳市森国科科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市森国科科技股份有限公司授权不得商用。

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