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本发明涉及一种电荷耦合器件制作技术，具体涉及一种集成内线转移CCD结构及其制作方法，该结构包括栅介质、多晶硅栅、金属前回流层、金属总线、表面平坦化层和超表面结构层；所述多晶硅栅形成在栅介质上；所述金属前回流层覆盖在多晶硅栅表面，金属前回流层...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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