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本发明公开了一种熔断器用高强度高导电性银带及其制备方法，包括纯银和强化剂，强化剂质量为纯银质量的0.005‑0.01％，强化剂为氧化锆、氧化钙、硼化钙和硼化锆中的一种或几种混合物，经过熔炼浇注后强化剂细小弥散分布在银晶界处，从而阻碍晶粒位错...
该专利属于重庆川仪自动化股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆川仪自动化股份有限公司授权不得商用。

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