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本申请提供一种闪存器件的制备方法，在制备栅氧化层之前，对外围逻辑区露出的隔离结构表面进行至少两次离子倾斜注入工艺，以使外围逻辑区的隔离结构的两侧顶角(有源区边缘)与注入的掺杂离子完全接触，改善有源区边缘区域的离子浓度分布，Si‑掺杂离子构成...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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